【文献阅读】A General Vapor-Induced Coating Approach for Layer-controll...

gaohaikuo1

_______________________________________________________ 1.完整的引文信息 --------------------------------------------------------------------------------- 宋延林老师课题组 ---------------------------------------------------------------------------------- 2.关键词 ---------------------------------------------------------------------------------- 偏振  单晶 C8BTBT ---------------------------------------------------------------------------------- 3.一般主题 ---------------------------------------------------------------------------------- 4.特定主题 ---------------------------------------------------------------------------------- 5.假设 ---------------------------------------------------------------------------------- 6.方法 ---------------------------------------------------------------------------------- 改变了不同溶液，不同溶液浓度，刮涂制备C8BTBT晶体 制备OFET器件，验证了双层C8BTBT材料具有最好的迁移率 制备光响应器件，并进行测试 ---------------------------------------------------------------------------------- 7.结果 ---------------------------------------------------------------------------------- C8BTBT材料可以通过控制不同溶液种类、浓度和刮涂速度实现不同的层数 双层迁移率最好2.5 双层，光响应器件偏振度可以达到2.26 ---------------------------------------------------------------------------------- 8.要点总结 ----------------------------------------------------------------------------------   双层C8BTBT光响应器件偏振度2.26 ---------------------------------------------------------------------------------- 9.背景 ----------------------------------------------------------------------------------   半月板刮涂技术成为热点，本文主要关注于半月板技术的改进 C8BTBT实现了日盲器件 ---------------------------------------------------------------------------------- 10.意义 ---------------------------------------------------------------------------------- 说明半导体的厚度对器件性能具有较大的影响，也提出了制备方式的改进 ---------------------------------------------------------------------------------- 11.引用的可供跟进的文献 ----------------------------------------------------------------------------------   a) T.  Wang, K.  Zhao, P.  Wang, W.  Shen, H.  Gao, Z.  Qin, Y.  Wang,C. Li, H. Deng, C. Hu, L. Jiang, H. Dong, Z. Wei, L. Li, W. Hu, Adv.Mater. 2021, 34, 2105665; b) Z.  Yu, W.  Tianyu, Q.  Zhengsheng,W.  Yongshuai, D.  Huanli, Mater. China 2022, 41, 169; c) S.-X.  Li,Y. An, X.-C. Sun, H. Zhu, H. Xia, H.-B. Sun, Sci. China Mater. 2022,65, 3105. ------------------------------------------------------------ 12其他一些可以想到的评论 ----------------------------------------------------------------------------------