【文献阅读】Highly In-Plane Anisotropic 2D GeAs2 for PolarizationSensit...

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1.完整的引文信息
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Highly In-Plane Anisotropic 2D GeAs2 for PolarizationSensitive Photodetection
Adv. Mater. 2018, 30, (50).
华中科技大学翟天佑课题组
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2.关键词
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3.一般主题
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偏振响应器件

4.特定主题
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GeAs偏振响应器件
5.假设
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6.方法
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structural, vibrational, electrical, and optical in-plane anisotropy
structural: XPS， HRTEM，AFM
angle-resolved polarized Raman spectroscopy ARPRS
理论计算
第一性原理计算能带结构
角分辨场效应器件
偏振响应PD器件
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7.结果
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结构分析表明，GeAs2的层间距为1.2A,小于典型的层状材料，其层间作用力并不是单纯的
范德华力，而是有可能是准共价键
XPS 结果有两个峰，分别Ge和As的束缚能
TEM和SAED证实了样品的单晶性
通过做拉曼光谱，分析其在10天内基本稳定，拉曼的峰有9个
随着层数增加拉曼的峰发生频移，低频峰随着层数增加发生蓝移（解释为层间呼吸作用），
而高频会发生红移（解释为变形导致）
角分辨拉曼光谱说明晶体朝向确实影响偏振属性
第一性原理计算表明GeAs的能带结构随着层数变化能级差也变化，吸收光谱也表
明其具有层数依赖性，和各向异性，单层GeAs2 具有天然的各项异性，是天然的偏振片
最终的器件各向色比为2

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8.要点总结
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GeAs2是一种特殊的平面半导体材料，由于层之间距离近，作用力强，导致
各向异性和厚度相关，厚度越强，各向异性越差
最终做出的7.9nm的偏振响应器件二向色比为2
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9.背景
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如何与其他工作相关
前面GeP, SiP, and GeAs和BP等材料都表现了各向异性，有人预测了GeAs2有
高达5的各向异性比，这个作者就做了，做了2.
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10.意义
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这个材料的厚度相关还是给很多人以启示
对领域的贡献，和自己工作的相关性
这个工作说明了在APPRS测试中为什么有的周期是pi有的是pi/2
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11.引用的可供跟进的文献
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12其他一些可以想到的评论
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ARPRS的垂直和平行是什么之间的角度？